在這里，我們將介紹非接觸式（渦流法）電阻測(cè)量原理的概況（該原理的詳細(xì)說(shuō)明在材料中）。

（*在我們的產(chǎn)品中，根據(jù)電阻范圍，還有另一種非接觸式電阻測(cè)量方法系統(tǒng)。。此外，關(guān)于非接觸式測(cè)量原理，除了渦流方法外，但很抱歉給您帶來(lái)麻煩請(qǐng)聯(lián)系我們）

渦流法主要用于非接觸式，可測(cè)量1E-3（1m）至1E + 4（10k）Ω/□電阻范圍。

它可用于半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體，液晶和新型碳基材料等廣泛領(lǐng)域的測(cè)量。

渦流測(cè)量系統(tǒng)使用電磁感應(yīng)產(chǎn)生的渦流來(lái)測(cè)量電阻。

非接觸式測(cè)量探頭單元的探頭芯（磁性材料）在兩側(cè)（上下）以一定的間隙排列。

<非接觸式測(cè)量探頭單元的結(jié)構(gòu)>

●在渦流法中，按照以下步驟進(jìn)行測(cè)量。

（1）當(dāng)在探針芯之間施加高頻以產(chǎn)生磁通量并且插入樣本時(shí)，樣本中產(chǎn)生渦流。

（2）此時(shí)，（1）渦電流流過(guò)樣品→（2）樣品中消耗了電流，發(fā)生了功率損耗。

　→③電路中的電流成比例降低。檢測(cè)該減小的電流值。

（3）由于檢測(cè)到的電流值與樣品的電阻成反比關(guān)系，請(qǐng)使用此值。

　座電阻或電阻是從電流值和座電阻的校準(zhǔn)曲線（計(jì)算公式）得出的。

　　（*計(jì)算電阻時(shí)需要樣品厚度信息）

日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x